Продукція > VISHAY > SQM40041EL_GE3
SQM40041EL_GE3

SQM40041EL_GE3 Vishay

sqm40041el.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+314.81 грн
65+219.16 грн
100+160.40 грн
500+146.82 грн
800+117.24 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40041EL_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 157W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 157W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQM40041EL_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40041el.pdf MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 7643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 VISHAY 2795475.pdf Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 VISHAY 2795475.pdf Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3 sqm40041el.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 7643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3 2795475.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3 2795475.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.