Продукція > VISHAY > SQM40061EL_GE3
SQM40061EL_GE3

SQM40061EL_GE3 VISHAY

2687559.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+74.52 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 58.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40061EL_GE3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40061EL_GE3 за ціною від 49.22 грн до 139.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.12 грн
10+ 93.9 грн
100+ 74.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40061el.pdf MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.87 грн
10+ 104.65 грн
100+ 72.4 грн
250+ 66.43 грн
500+ 61.18 грн
800+ 50.55 грн
2400+ 49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : VISHAY 2687559.pdf Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+139.35 грн
10+ 105.07 грн
100+ 74.52 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 58.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : Vishay sqm40061el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : Vishay sqm40061el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній