Продукція > VISHAY > SQM40N15-38_GE3
SQM40N15-38_GE3

SQM40N15-38_GE3 VISHAY

VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.42 грн
500+119.55 грн
1000+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40N15-38_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40N15-38_GE3 за ціною від 92.70 грн до 280.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40n15-38.pdf MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.15 грн
10+180.21 грн
25+147.87 грн
100+126.54 грн
250+119.92 грн
500+105.94 грн
800+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.16 грн
10+179.09 грн
100+144.42 грн
500+119.55 грн
1000+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40n15-38.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.12 грн
10+176.72 грн
100+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38-GE3 Виробник : Vishay sqm40n15-38.pdf Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) To-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38-GE3 Виробник : Vishay sqm40n15-38.pdf Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Виробник : Vishay sqm40n15-38.pdf Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40n15-38.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQM40N15-38_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.