Продукція > VISHAY > SQM40P10-40L_GE3
SQM40P10-40L_GE3

SQM40P10-40L_GE3 Vishay

doc67053.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+196.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40P10-40L_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40P10-40L_GE3 за ціною від 71.52 грн до 251.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.74 грн
10+146.94 грн
100+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40p10.pdf MOSFETs P-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 9734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.30 грн
10+163.45 грн
100+98.81 грн
500+91.21 грн
800+72.58 грн
2400+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.52 грн
10+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay doc67053.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqm40p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.