Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50020EL_GE3
SQM50020EL_GE3

SQM50020EL_GE3 Vishay Siliconix

sqm50020el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.79 грн
10+214.99 грн
50+167.62 грн
100+143.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50020EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQM50020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQM50020EL_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM50020EL_GE3 SQM50020EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm50020el.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50020EL_GE3 SQM50020EL_GE3 VISHAY sqm50020el.pdf Description: VISHAY - SQM50020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50020EL_GE3 sqm50020el.pdf
SQM50020EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50020EL_GE3 sqm50020el.pdf
SQM50020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.