SQM50028EM_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.62 грн |
| 10+ | 186.82 грн |
| 100+ | 119.55 грн |
| 500+ | 111.11 грн |
| 800+ | 94.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM50028EM_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції SQM50028EM_GE3 за ціною від 135.22 грн до 303.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM50028EM_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|