SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.06 грн |
| 10+ | 138.81 грн |
| 100+ | 110.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM50034E_GE3 за ціною від 70.18 грн до 249.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM50034E_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQM50034E_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 150W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Application: automotive industry |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|