Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM50P03-07_GE3
SQM50P03-07_GE3

SQM50P03-07_GE3 Vishay / Siliconix

sqm50p03.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.58 грн
10+159.05 грн
100+105.20 грн
250+91.96 грн
500+87.55 грн
800+77.98 грн
2400+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P03-07_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P03-07_GE3 за ціною від 109.78 грн до 251.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p03.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.48 грн
10+157.94 грн
100+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07-GE3 SQM50P03-07-GE3 Виробник : Vishay sqm50p03.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Виробник : Vishay sqm50p03.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Виробник : Vishay sqm50p03.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p03.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07-GE3 SQM50P03-07-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM50P03-07_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.