Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50P04-09L_GE3
SQM50P04-09L_GE3

SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p04.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P04-09L_GE3 за ціною від 80.00 грн до 207.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p04.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.43 грн
10+148.56 грн
100+118.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm50p04.pdf MOSFETs P-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.10 грн
10+169.97 грн
100+117.33 грн
250+116.56 грн
500+108.95 грн
800+84.57 грн
2400+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.