Технічний опис SQM50P06-15L_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM50P06-15L_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQM50P06-15L_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQM50P06-15L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQM50P06-15L_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM50P06-15L_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)