Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50P06-15L_GE3
SQM50P06-15L_GE3

SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p06.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P06-15L_GE3 за ціною від 67.93 грн до 196.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001221991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+110.56 грн
500+ 76.31 грн
1000+ 69.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p06.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.12 грн
10+ 133.46 грн
100+ 106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqm50p06.pdf MOSFET P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.02 грн
10+ 148.57 грн
100+ 102.55 грн
250+ 95.23 грн
500+ 81.24 грн
800+ 71.26 грн
2400+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001221991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM50P06-15L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.47 грн
10+ 144.93 грн
100+ 110.56 грн
500+ 76.31 грн
1000+ 69.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
SQM50P06-15L-GE3 SQM50P06-15L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM50P06-15L_GE3
товар відсутній