Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM50P08-25L_GE3
SQM50P08-25L_GE3

SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p08.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.12 грн
1600+78.96 грн
2400+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM50P08-25L_GE3 за ціною від 76.33 грн до 266.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : VISHAY sqm50p08.pdf Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : VISHAY sqm50p08.pdf Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.64 грн
10+167.13 грн
50+166.31 грн
100+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p08.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.46 грн
10+158.40 грн
100+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm50p08.pdf MOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.29 грн
10+173.02 грн
100+104.95 грн
800+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm50p08.pdf MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
на замовлення 227 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay sqm50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay doc67064.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P08-25L-GE3 SQM50P08-25L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.