Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM85N15-19_GE3
SQM85N15-19_GE3

SQM85N15-19_GE3 Vishay / Siliconix

sqm85n15-19.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 150V 85A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.86 грн
10+ 207.78 грн
25+ 171.38 грн
100+ 146.14 грн
250+ 138.17 грн
500+ 130.19 грн
800+ 110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM85N15-19_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6285 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQM85N15-19_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM85N15-19-GE3 Виробник : Vishay sqm85n15-19.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM85N15-19_GE3 SQM85N15-19_GE3 Виробник : Vishay sqm85n15-19.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
SQM85N15-19_GE3 SQM85N15-19_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm85n15-19.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6285 pF @ 25 V
товар відсутній
SQM85N15-19_GE3 SQM85N15-19_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm85n15-19.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6285 pF @ 25 V
товар відсутній
SQM85N15-19-GE3 SQM85N15-19-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQM85N15-19_GE3
товар відсутній