SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 18580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.21 грн |
| 10+ | 235.20 грн |
| 100+ | 167.00 грн |
| 500+ | 142.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12010 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQP100P06-9M3L_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQP100P06-9M3L_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
SQP100P06-9M3L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12010 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |