
SQP120N06-06_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.18 грн |
10+ | 214.05 грн |
100+ | 152.29 грн |
500+ | 129.48 грн |
1000+ | 109.62 грн |
2500+ | 103.73 грн |
5000+ | 101.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQP120N06-06_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQP120N06-06_GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQP120N06-06_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SQP120N06-06_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |