SQP50P03-07_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQP50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQP50P03-07_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQP50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 150W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Інші пропозиції SQP50P03-07_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQP50P03-07_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQP50P03-07_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)