
SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.16 грн |
10+ | 185.28 грн |
25+ | 151.55 грн |
100+ | 130.22 грн |
250+ | 122.86 грн |
500+ | 115.50 грн |
1000+ | 99.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 78.5, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQP90142E_GE3 за ціною від 114.60 грн до 252.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQP90142E_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 78.5 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SQP90142E_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SQP90142E_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |