Продукція > VISHAY SILICONIX > SQR70090ELR_GE3
SQR70090ELR_GE3

SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix

sqr70090elr.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.33 грн
10+86.93 грн
100+69.15 грн
500+54.91 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQR70090ELR_GE3 за ціною від 46.01 грн до 118.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqr70090elr.pdf MOSFET 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.52 грн
10+97.64 грн
100+68.14 грн
250+62.33 грн
500+56.60 грн
1000+48.55 грн
2000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqr70090elr-1080016.pdf MOSFET 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 Виробник : Vishay sqr70090elr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 86A Automotive 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqr70090elr.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.