SQRS144ELP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Технічний опис SQRS144ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 372A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQRS144ELP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQRS144ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQRS144ELP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


