SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.98 грн |
| 13+ | 68.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQRS152ELP-T1_GE3 за ціною від 28.92 грн до 127.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQRS152ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8SW, 5 mohm a. 10V, 7.5 mohm a. 4.5V |
на замовлення 5563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQRS152ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQRS152ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQRS152ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |