SQS124ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.52 грн |
| 10+ | 58.51 грн |
| 50+ | 43.55 грн |
| 100+ | 36.31 грн |
| 500+ | 28.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS124ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS124ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS124ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQS124ELNW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)