SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.
Інші пропозиції SQS136ENW-T1_GE3 за ціною від 15.75 грн до 83.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQS136ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQS136ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SQS136ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.85 грн |
| 10+ | 46.57 грн |
| 50+ | 34.37 грн |
| 100+ | 28.56 грн |
| 500+ | 22.06 грн |
| SQS136ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS136ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS136ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.46 грн |
| 10+ | 38.17 грн |
| 100+ | 29.37 грн |
| 500+ | 22.74 грн |
| 1000+ | 22.01 грн |
| 3000+ | 17.81 грн |
| 9000+ | 15.75 грн |