Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS136ENW-T1_GE3
SQS136ENW-T1_GE3

SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqrs144elp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.

Інші пропозиції SQS136ENW-T1_GE3 за ціною від 20.32 грн до 78.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS136ENW-T1_GE3 SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+47.31 грн
100+30.96 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 SQS136ENW-T1_GE3 VISHAY sqs136enw.pdf Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 SQS136ENW-T1_GE3 VISHAY sqs136enw.pdf Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqrs144elp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
SQS136ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.33 грн
10+47.31 грн
100+30.96 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqs136enw.pdf
SQS136ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqs136enw.pdf
SQS136ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.