Продукція > VISHAY > SQS140ELNW-T1_GE3
SQS140ELNW-T1_GE3

SQS140ELNW-T1_GE3 VISHAY

sqs140elnw.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+49.53 грн
500+40.17 грн
1000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS140ELNW-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 153A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 119W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm.

Інші пропозиції SQS140ELNW-T1_GE3 за ціною від 26.46 грн до 118.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs140elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.99 грн
100+46.15 грн
500+34.12 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 VISHAY sqs140elnw.pdf Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
11+74.30 грн
100+49.53 грн
500+40.17 грн
1000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqs140elnw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.94 грн
10+74.60 грн
100+43.01 грн
500+35.26 грн
1000+31.77 грн
3000+26.95 грн
6000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 sqs140elnw.pdf
SQS140ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.99 грн
100+46.15 грн
500+34.12 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 sqs140elnw.pdf
SQS140ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.31 грн
11+74.30 грн
100+49.53 грн
500+40.17 грн
1000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 sqs140elnw.pdf
SQS140ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+74.60 грн
100+43.01 грн
500+35.26 грн
1000+31.77 грн
3000+26.95 грн
6000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.