Продукція > VISHAY > SQS140ENW-T1_GE3
SQS140ENW-T1_GE3

SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY

sqs140enw.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 197W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.45 грн
500+39.61 грн
1000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 197W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQS140ENW-T1_GE3 за ціною від 33.56 грн до 133.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS140ENW-T1_GE3 SQS140ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs140enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.69 грн
10+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3 SQS140ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs140enw.pdf Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.39 грн
11+83.86 грн
100+57.45 грн
500+39.61 грн
1000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3 SQS140ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs140enw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.36 грн
10+89.39 грн
100+53.80 грн
500+45.19 грн
1000+41.30 грн
3000+36.43 грн
6000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3 SQS140ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs140enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.