Продукція > VISHAY > SQS142ELNW-T1_GE3
SQS142ELNW-T1_GE3

SQS142ELNW-T1_GE3 VISHAY

sqs142elnw.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.60 грн
500+37.97 грн
1000+25.32 грн
5000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS142ELNW-T1_GE3 VISHAY

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS142ELNW-T1_GE3 за ціною від 22.25 грн до 87.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs142elnw.pdf MOSFET
на замовлення 24226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+62.72 грн
100+37.17 грн
500+31.07 грн
1000+27.20 грн
3000+23.03 грн
6000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs142elnw.pdf Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.39 грн
12+67.38 грн
100+51.60 грн
500+37.97 грн
1000+25.32 грн
5000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs142elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.72 грн
10+48.96 грн
100+38.95 грн
500+28.54 грн
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs142elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.