Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS142ELNW-T1_GE3

SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqs142elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+48.99 грн
100+38.97 грн
500+28.55 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQS142ELNW-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqs142elnw.pdf MOSFET
на замовлення 24226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 VISHAY sqs142elnw.pdf Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 SQS142ELNW-T1_GE3 VISHAY sqs142elnw.pdf Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 sqs142elnw.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET
на замовлення 24226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 sqs142elnw.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3 sqs142elnw.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.