SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.76 грн |
| 10+ | 48.99 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| 500+ | 28.55 грн |
| 1000+ | 25.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQS142ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SQS142ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET |
на замовлення 24226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFETMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS142ELNW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET
MOSFET
на замовлення 24226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQS142ELNW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS142ELNW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




