Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS142ENW-T1_GE3
SQS142ENW-T1_GE3

SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs142enw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.23 грн
6000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SQS142ENW-T1_GE3 за ціною від 21.84 грн до 99.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs142enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.50 грн
10+55.45 грн
100+38.36 грн
500+30.08 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs142enw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 36399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.79 грн
10+61.66 грн
100+35.54 грн
500+27.68 грн
1000+25.17 грн
3000+21.97 грн
6000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.