Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS160ELNW-T1_GE3
SQS160ELNW-T1_GE3

SQS160ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs160elnw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+65.90 грн
100+46.36 грн
500+34.22 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS160ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS160ELNW-T1_GE3 за ціною від 27.37 грн до 107.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS160ELNW-T1_GE3 SQS160ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs160elnw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 71940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+70.22 грн
100+44.95 грн
500+36.05 грн
1000+32.52 грн
3000+28.69 грн
6000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS160ELNW-T1_GE3 SQS160ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs160elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.