Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS166ELNW-T1_GE3
SQS166ELNW-T1_GE3

SQS166ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs166elnw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
10+33.18 грн
25+29.69 грн
100+24.37 грн
250+22.69 грн
500+21.68 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS166ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQS166ELNW-T1_GE3 за ціною від 19.96 грн до 64.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS166ELNW-T1_GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs166elnw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
10+56.13 грн
100+33.25 грн
500+27.82 грн
1000+23.63 грн
3000+21.43 грн
6000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs166elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.