Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS180ELNW-T1_GE3

SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqs180elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS180ELNW-T1_GE3 за ціною від 29.69 грн до 107.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS180ELNW-T1_GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqs180elnw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+57.64 грн
25+49.57 грн
100+44.39 грн
500+42.66 грн
3000+36.24 грн
6000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs180elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.81 грн
100+44.02 грн
500+32.52 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 sqs180elnw.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.35 грн
10+57.64 грн
25+49.57 грн
100+44.39 грн
500+42.66 грн
3000+36.24 грн
6000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 sqs180elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.95 грн
10+65.81 грн
100+44.02 грн
500+32.52 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.