Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS181ELNW-T1_GE3

SQS181ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqs181elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.01 грн
6000+28.69 грн
9000+27.60 грн
15000+24.76 грн
21000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS181ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS181ELNW-T1_GE3 за ціною від 26.29 грн до 119.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqs181elnw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.32 грн
10+67.44 грн
100+43.49 грн
500+34.68 грн
1000+30.59 грн
3000+27.77 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs181elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.73 грн
10+73.00 грн
100+48.80 грн
500+36.05 грн
1000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 sqs181elnw.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.32 грн
10+67.44 грн
100+43.49 грн
500+34.68 грн
1000+30.59 грн
3000+27.77 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 sqs181elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.73 грн
10+73.00 грн
100+48.80 грн
500+36.05 грн
1000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.