SQS182ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / SiliconixMOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.73 грн |
| 10+ | 54.35 грн |
| 100+ | 36.77 грн |
| 500+ | 35.37 грн |
| 3000+ | 30.02 грн |
| 6000+ | 29.43 грн |
| 9000+ | 28.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS182ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS182ELNW-T1_GE3 за ціною від 27.32 грн до 83.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS182ELNW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQS182ELNW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |