Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

sqs401en.pdf
Код товару: 183342
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQS401EN-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 Vishay Semiconductors VISH_S_A0001185100_1-2567244.pdf MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 108781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 VISHAY 2614545.pdf Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 VISH_S_A0001185100_1-2567244.pdf
SQS401EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 108781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 2614545.pdf
SQS401EN-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.