SQS401EN-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.56 грн |
| 13+ | 60.06 грн |
| 100+ | 44.97 грн |
| 500+ | 38.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS401EN-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQS401EN-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 108781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
SQS401EN-T1_GE3 Код товару: 183342 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||
| SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SQS401EN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8 |
товар відсутній |
|
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
| SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |