Інші пропозиції SQS401EN-T1_GE3 за ціною від 41.71 грн до 83.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 108781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SQS401EN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SQS401EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |