SQS405EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.09 грн |
| 6000+ | 30.35 грн |
| 9000+ | 28.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS405EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS405EN-T1_GE3 за ціною від 31.77 грн до 79.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQS405EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQS405EN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SQS405EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SQS405EN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified |
товару немає в наявності |