Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQS405ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 10273827-3
Price: 385.05 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.01 грн
10+	60.85 грн
100+	47.33 грн
500+	37.65 грн
1000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQS405ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS405ENW-T1_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQS405ENW-T1_GE3	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified	на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SQS405ENW-T1_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQS405ENW-T1_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.