Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS407ENW-T1_GE3
SQS407ENW-T1_GE3

SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs407enw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.69 грн
6000+28.13 грн
9000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS407ENW-T1_GE3 за ціною від 27.01 грн до 101.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs407enw.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+62.54 грн
100+45.49 грн
500+35.47 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs407enw.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 71657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.03 грн
10+58.32 грн
100+38.38 грн
500+32.81 грн
1000+29.50 грн
3000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2786219.pdf Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.