SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.25 грн |
| 6000+ | 27.72 грн |
| 9000+ | 26.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQS407ENW-T1_GE3 за ціною від 24.55 грн до 116.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQS407ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQS407ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W |
на замовлення 70652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|