Продукція > VISHAY > SQS415ENW-T1_GE3
SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3 Vishay


sqs415enw.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS415ENW-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQS415ENW-T1_GE3 за ціною від 27.24 грн до 98.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.33 грн
6000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+36.28 грн
2000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+37.58 грн
343+37.21 грн
345+37.06 грн
346+35.61 грн
500+32.84 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.66 грн
6000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.87 грн
2000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.73 грн
19+40.27 грн
25+39.86 грн
100+38.29 грн
250+35.32 грн
500+33.78 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2786221.pdf Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.45 грн
500+37.80 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs415enw.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
на замовлення 8168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.41 грн
10+47.35 грн
100+36.84 грн
500+34.40 грн
1000+32.43 грн
3000+28.50 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs415enw.pdf Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.18 грн
17+53.34 грн
100+47.78 грн
500+41.25 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs415enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.79 грн
10+66.75 грн
100+51.20 грн
500+37.79 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs415enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1 GE3 Виробник : Vishay MOSFETs POWRPK P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.