SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.30 грн |
| 6000+ | 28.04 грн |
| 9000+ | 26.97 грн |
| 15000+ | 24.18 грн |
| 21000+ | 23.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm.
Інші пропозиції SQS415ENW-T1_GE3 за ціною від 32.20 грн до 117.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 26209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 62.5W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm |
на замовлення 4681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W |
на замовлення 6456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.87 грн |
| 6000+ | 36.82 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.07 грн |
| 6000+ | 37.01 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.13 грн |
| 2000+ | 37.46 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 40.13 грн |
| 2000+ | 37.46 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 340+ | 41.56 грн |
| 343+ | 41.15 грн |
| 345+ | 40.99 грн |
| 346+ | 39.38 грн |
| 500+ | 36.32 грн |
| 1000+ | 34.74 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.08 грн |
| 19+ | 41.56 грн |
| 25+ | 41.15 грн |
| 100+ | 39.53 грн |
| 250+ | 36.46 грн |
| 500+ | 34.87 грн |
| 1000+ | 34.74 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.31 грн |
| 10+ | 71.62 грн |
| 100+ | 47.81 грн |
| 500+ | 35.28 грн |
| 1000+ | 32.20 грн |
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQS415ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)