Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS415ENW-T1_GE3
SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs415enw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.36 грн
6000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS415ENW-T1_GE3 за ціною від 26.77 грн до 115.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs415enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.44 грн
10+69.46 грн
100+46.38 грн
500+34.22 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs415enw.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.21 грн
10+72.93 грн
100+42.49 грн
500+33.73 грн
1000+30.53 грн
3000+26.98 грн
6000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs415enw.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4825 @ 25, Qg, нКл = 82, Rds = 16,1 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK 1212-8W Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs415enw.pdf MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1 GE3 Виробник : Vishay MOSFETs POWRPK P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.