Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS420EN-T1_GE3
SQS420EN-T1_GE3

SQS420EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs420en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.14 грн
9000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS420EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS420EN-T1_GE3 за ціною від 26.35 грн до 99.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS420EN-T1_GE3 SQS420EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs420en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+60.62 грн
100+45.98 грн
500+34.76 грн
1000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1_GE3 SQS420EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs420en.pdf MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 22356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+65.83 грн
100+43.45 грн
250+42.93 грн
500+35.37 грн
1000+30.53 грн
3000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1-GE3 Виробник : Vishay sqs420en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1_GE3 SQS420EN-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs420en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.