SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix


sqs460en.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.70 грн
6000+32.07 грн
9000+30.89 грн
15000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS460EN-T1_BE3 за ціною від 32.03 грн до 136.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS460EN-T1_BE3 SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.10 грн
100+53.85 грн
500+39.98 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 SQS460EN-T1_BE3 Vishay Semiconductors sqs460en.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 29874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+49.70 грн
500+39.28 грн
1000+35.90 грн
3000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 sqs460en.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.25 грн
10+80.10 грн
100+53.85 грн
500+39.98 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 sqs460en.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 29874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+49.70 грн
500+39.28 грн
1000+35.90 грн
3000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.