Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS460EN-T1_GE3
SQS460EN-T1_GE3

SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs460en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.73 грн
10+76.14 грн
100+57.23 грн
500+42.48 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS460EN-T1_GE3 за ціною від 34.49 грн до 118.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS460EN-T1_GE3 SQS460EN-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs460en.pdf MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 74865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.16 грн
10+81.78 грн
100+54.53 грн
500+43.15 грн
1000+37.94 грн
3000+35.67 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs460en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 SQS460EN-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs460en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1-GE3 SQS460EN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 SQS460EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.