Продукція > VISHAY > SQS462EN-T1_GE3
SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3 Vishay

sqs462en.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS462EN-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS462EN-T1_GE3 за ціною від 28.07 грн до 113.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs462en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.24 грн
6000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs462en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.18 грн
10+67.12 грн
100+45.76 грн
500+35.40 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs462en.pdf MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.88 грн
10+72.16 грн
25+62.68 грн
100+44.77 грн
500+35.96 грн
1000+32.07 грн
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS462EN-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs462en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.