Продукція > VISHAY > SQS462EN-T1_GE3
SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3 Vishay


sqs462en.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS462EN-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS462EN-T1_GE3 за ціною від 26.63 грн до 107.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs462en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.32 грн
6000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs462en.pdf MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.05 грн
10+63.71 грн
100+43.11 грн
500+36.56 грн
1000+29.80 грн
3000+27.96 грн
6000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS462EN-T1_GE3 SQS462EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs462en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+67.28 грн
100+45.87 грн
500+35.48 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.