Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS482EN-T1_GE3
SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs482en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQS482EN-T1_GE3 за ціною від 23.08 грн до 66.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs482en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.5 грн
10+ 45.83 грн
100+ 35.62 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs482en.pdf MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.59 грн
10+ 59.04 грн
100+ 40.06 грн
500+ 33.05 грн
1000+ 26.1 грн
3000+ 24.37 грн
6000+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs482en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SQS482EN-T1-GE3 Виробник : Vishay sqs482en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній