Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS482EN-T1_GE3
SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs482en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+56.94 грн
100+39.66 грн
500+32.24 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS482EN-T1_GE3 за ціною від 25.45 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs482en.pdf MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+63.03 грн
100+40.61 грн
250+40.54 грн
500+32.74 грн
1000+29.21 грн
3000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs482en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS482EN-T1-GE3 Виробник : Vishay sqs482en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs482en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.