Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS484CENW-T1_GE3
SQS484CENW-T1_GE3

SQS484CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs484cenw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS484CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS484CENW-T1_GE3 за ціною від 20.26 грн до 81.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS484CENW-T1_GE3 SQS484CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs484cenw.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.42 грн
10+54.20 грн
100+36.95 грн
500+27.54 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 SQS484CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs484cenw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W
на замовлення 9922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.34 грн
10+53.76 грн
100+31.41 грн
500+27.15 грн
1000+23.04 грн
3000+21.36 грн
6000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs484cenw.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.