Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS484EN-T1_GE3
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs484en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQS484EN-T1_GE3 за ціною від 25.9 грн до 74.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQS484EN-T1_GE3 SQS484EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs484en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 14249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.94 грн
10+ 62.59 грн
100+ 48.77 грн
500+ 37.81 грн
1000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQS484EN-T1_GE3 SQS484EN-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs484en-1764797.pdf MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.69 грн
10+ 66.18 грн
100+ 44.86 грн
500+ 37.12 грн
1000+ 29.31 грн
3000+ 27.24 грн
6000+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS484EN-T1_GE3 SQS484EN-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs484en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній