SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.52 грн |
| 10+ | 82.16 грн |
| 100+ | 55.26 грн |
| 500+ | 41.02 грн |
| 1000+ | 37.53 грн |
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Технічний опис SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQS484ENW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQS484ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQS484ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS484ENW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS484ENW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)