SQS484ENW-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 83.81 грн |
| 13+ | 70.07 грн |
| 100+ | 43.97 грн |
| 500+ | 34.13 грн |
| 1000+ | 28.85 грн |
| 5000+ | 26.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS484ENW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQS484ENW-T1_GE3 за ціною від 20.82 грн до 95.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS484ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W |
на замовлення 4312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQS484ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQS484ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQS484ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQS484ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |