Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS840EN-T1_GE3
SQS840EN-T1_GE3

SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs840en.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+50.78 грн
100+35.25 грн
500+27.76 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS840EN-T1_GE3 за ціною від 23.32 грн до 77.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS840EN-T1_GE3 SQS840EN-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqs840en.pdf MOSFETs 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.82 грн
10+59.44 грн
100+35.84 грн
500+30.11 грн
1000+27.54 грн
3000+23.77 грн
6000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_GE3 SQS840EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs840en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.