Продукція > VISHAY > SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3 VISHAY

3252076.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.93 грн
500+32.72 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS850EN-T1_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS850EN-T1_GE3 за ціною від 26.48 грн до 62.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS850EN-T1_GE3 SQS850EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs850en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
10+39.31 грн
100+36.08 грн
500+31.99 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_GE3 SQS850EN-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3252076.pdf Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.18 грн
19+45.56 грн
100+40.93 грн
500+32.72 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_GE3 SQS850EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs850en.pdf MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 17114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.23 грн
10+52.37 грн
100+37.30 грн
500+32.88 грн
1000+28.54 грн
2500+27.15 грн
5000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_GE3 SQS850EN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs850en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.