на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.78 грн |
| 10+ | 73.96 грн |
| 100+ | 42.65 грн |
| 500+ | 33.67 грн |
| 1000+ | 31.40 грн |
| 3000+ | 26.65 грн |
| 6000+ | 25.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS940ELNW-T1_GE3 Vishay
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 33W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 1.25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS940ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SQS940ELNW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 1.25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||
| SQS940ELNW-T1/GE3 | Виробник : Vishay | Vishay |
товару немає в наявності |