SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 32.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS944ENW-T1_GE3 за ціною від 31.15 грн до 132.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQS944ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQS944ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W |
на замовлення 7958 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SQS944ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.78 грн |
| 10+ | 72.72 грн |
| 50+ | 54.53 грн |
| 100+ | 45.67 грн |
| 500+ | 35.99 грн |
| SQS944ENW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.25 грн |
| 10+ | 62.07 грн |
| 100+ | 48.19 грн |
| 500+ | 37.96 грн |
| 1000+ | 36.27 грн |
| 3000+ | 32.18 грн |
| 6000+ | 31.15 грн |