Продукція > VISHAY > SQS965ELNW-T1_GE3

SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay


Виробник: Vishay
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -60V, Type of transistor: P-MOSFET x2, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції SQS965ELNW-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS965ELNW-T1_GE3 VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS965ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS965ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.