Продукція > VISHAY SILICONIX > SQSA12CENW-T1_GE3
SQSA12CENW-T1_GE3

SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa12cenw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.58 грн
6000+22.96 грн
9000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQSA12CENW-T1_GE3 за ціною від 20.53 грн до 81.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqsa12cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.21 грн
10+58.58 грн
100+40.01 грн
500+29.29 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqsa12cenw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 14727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.03 грн
10+60.34 грн
100+35.71 грн
500+28.01 грн
1000+25.29 грн
3000+22.04 грн
6000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa12cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 18A; 62.5W; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqsa12cenw.pdf N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.